32-01-021
4 нормы в категории "32-01-021"
ГЭСН нормы
Актуальные расценки
Детальные расчёты
Сортировка:
32-01-021-01 0
Установка: → выращивания эпитаксиальных структур гидридным методом при пониженном давлении, СВЧ обогревом
Группа: Установка: Обоснование: НР: Пр/812-074.0, СП: Пр/774-074.0
Единица: компл
Тип: GESNM
М
Подробнее
32-01-021-02 0
Установка: → эпитаксиального наращивания пленок монокристаллов
Группа: Установка: Обоснование: НР: Пр/812-074.0, СП: Пр/774-074.0
Единица: компл
Тип: GESNM
М
Подробнее
32-01-021-03 0
Установка: → наращивания эпитаксиальных слоев
Группа: Установка: Обоснование: НР: Пр/812-074.0, СП: Пр/774-074.0
Единица: компл
Тип: GESNM
М
Подробнее
32-01-021-04 0
Установка: → для изготовления многослойных гетероэпитаксиальных структур
Группа: Установка: Обоснование: НР: Пр/812-074.0, СП: Пр/774-074.0
Единица: компл
Тип: GESNM
М
Подробнее